第780节
余承冬却不推辞，“如果让我负责华为终端，我一定要做到遥遥领先于同行！”
“别打逻辑就行。”
陆飞咂摸着嘴：“我们允许竞争，但不要窝里斗，就该和德系汽车一样，大众、戴姆勒、宝马这些抱团垄断，从生产到技术，全都协同合作，控制价格，变成世界最大的汽车卡特尔，德系汽车如此，中系手机也该如此，枪口一致对外，对外就是不妥协。”
“说的是这么个道理。”
任正飞投去赞许的目光。
陆飞眯了眯眼，比如这一次收购奇梦达。
就在此时，起飞了半个小时左右，黄秘书朝他们走了过来，弯下腰，轻声对陆飞说：
“陆总，领导说你可以便宜行事，只要你能在31号准时出席在瑞士达沃斯举办的世界经济论坛年会，就没有任何问题。”
……
与此同时，伴随着奇梦达向法院递交无力清偿债务的破产申请，消息已经是满天飞。
但凡是存储业同行，都为之一震。
美利坚，美光总部。
“哈哈，马克，你看我说什么来着。”
阿普尔顿叼着雪茄大笑：“奇梦达会是第一个死的吧？死的好！我们要趁这个机会，把空出来的市场份额尽量抢过来。”
“要不我们考虑参与救助奇梦达竞标？”
马克达肯沉默了片刻，一语惊人。
“你疯了吗！”
阿普尔顿猛地把雪茄拿了下来，“奇梦达现在是什么情况？巨额债务、业务亏损、产能过剩、人力成本，就是一个无底洞，哪怕是你付钱给别人让他拥有奇梦达，这个受赠人也只有疯了才会考虑！要不然我们也不会取消从英飞凌手里买下奇梦达的计划，太不值了！”
“我知道，我当然知道，美光的并购对象是海力士，是奇梦达，但问题在于，参加奇梦达竞标的，除了东芝、南亚科、三星几家，还有一家。”马克达肯道，“就是长江存储。”
“长江存储？！那个特么地华夏陆！”
阿普尔顿一下子站了起来。
“嗯哼。”
马克达肯嘴角扬起一抹坏笑。
“哈哈哈，华夏陆看来是饥不择食，他竟然会要奇梦达？一个能把英飞凌都拖垮的存储公司？给他！就给他！”阿普尔顿开怀大笑。
“你不觉得这是一个机会吗？”
马克达肯把奇梦达竞标的文件递了上去。
“什么机会？你不会想让美光也参加竞标吧？不行，绝对不行，这个坑必须让长江存储来踩，让它告美光侵权！让它抢华亚科！”
阿普尔顿看也不看，“这就是报应！”
“我们可以让报应来得更惨烈一些，就借这个机会给长江存储制造麻烦，比如哄抬收购价，比如挖走技术骨干，又或者……”
马克达肯投去一个“你懂的”目光。
“哦耶！让我们狠狠地踹陆飞的屁股！”
阿普尔顿和他对视，会心一笑。
但凡能削弱竞争对手，也就变相地增强了自己的实力，长江存储付出更大的代价收购奇梦达，就没有能力再争抢尔必达和海力士。
抱着同样的想法，不再少数。
其中之一就包括正在监狱里的李健熙，他坐在会见室，完全没有半分局促不安。
“你明白了吗，富真？”
“阿爸，我、我明白了。”
李富真万万没想到他竟然让自己对付陆飞，迟疑片刻，“不过奇梦达这次破产，一个重要原因就是我们的价格战，奇梦达未必会同意让三星加入竞标正式名单，那样的话……”
“去竞标不是为了竞标，而是看清有多少家有竞标的实力。能竞标奇梦达，就能跟三星争海力士。”李健熙板着脸。“我们的目标只有一个，就是海力士，只要抢得过sk、现代、美光，三星在全球存储业就是霸主，这次是你真正要做的，你明白我的用意了吗？”
“是的，阿爸。”
“这一次你亲自出马，不要让我失望。”
“可是阿爸，您现在这种情况，我怎么能这个时候出国呢？”李富真心里咯噔一下。
“担心什么，又不是没有坐过，很快我就能出来。”李健熙看向坐在李富真身旁的金室长，“你说是吧？”
“是的，会长，很快您就能被特赦。”
金室长微微弯腰，毕恭毕敬。
“富真呐，你先回去安排出国的事，我还有一点事交代金室长。”
目送李富真离开，李健熙沉了下脸，“等她去了德国之后，就通知在镕回国吧。”
最坚强的后盾
飞机抵达柏林，迎来的就是隆重的接机仪式，媒体长枪短炮地对准陆飞所在的代表团。
结束之后，陆飞和王贲脱团。
奇梦达的总部在慕尼黑，必须马不停蹄地赶过去，驻柏林的分公司早已派出人接应。
“欢迎陆总来德！”
人群当中，打着醒目显眼的横幅。
站在最前头的是高启全和朱一鸣，也是这一次奇梦达独家收购的负责人，尤其是朱一鸣，前世可是长鑫存储的董事长兼ceo。
就是他接手了奇梦达相关的技术资料和专利文件，让长鑫存储狂飙突进，彻底崛起。
技术层面的接收，怎么能少得了他！
“陆总。”
高启全、朱一鸣等人异口同声地问好。
“上车聊。”
顾不上寒暄，陆飞径自钻入车里。
轮胎裹着防滑链的大巴车，在大雪纷飞的街道上，稳稳当当，一路向前。
“你们考察了奇梦达，感觉怎么样？”
陆飞从保温杯里倒出热茶。
“陆总，从我们这些天的观察，结合华亚科掌握的技术参数和资料来看，奇梦达现在的埋入式技术已经有堆叠式的雏形，只要给钱给人，假以时日，肯定能造出来，就是还有一些技术上的缺陷需要攻克。”
朱一鸣一脸认真。
“什么缺陷？”
陆飞喝了口热茶，顿时感到暖和。
dra是平面式的架构，随着线宽减少，表面积相应缩减，电容值已经无法满足读取需求，因此不断缩微的dra架构演变技术路线有两条，一种是沟槽式，一种是堆叠式。
原理都是用空间结构的变化，得到更大的表面积。前者是在晶体管下面挖沟槽，工艺相对复杂，但单元所占的面积更小，功耗更低。
后者是把电容叠加在晶体管上面，用内表面、外表面这两面当作电容，工艺相对简单。
如果沟槽式是现在，堆叠式就是未来！
“像奇梦达这种埋入式字线结构，由于动态随机存储芯片的制程微缩，字线的结构也会不断缩小。”朱一鸣拿出纸笔，在纸上写写画画，“还有，电子迁移率衰减、饱和速度都会限制驱动电流的提高，今后要改善性能也会非常困难。”
“有问题就要解决，你们怎么解决？”
陆飞盯着纸，打起十二分精神。
“我们暂时讨论出2种，最可行的就是推出全新的半导体存储器件结构，从根本上改善动态随机存储芯片性能。”
朱一鸣抖落而出：“就是把两条埋入式字线结构分别设置在锗硅弛豫层填充沟槽内的有源区，弛豫侧壁会对里边的有源区产生应力，就能提高沟道内部电子的迁移率，另外……